TBMDA5 Modulated Power Amplifier(증폭기)

TBMDA5 변조 증폭기는 150kHz ~ 400MHz 주파수 범위에서 CDNs을 사용하여 전도 내성 테스트에 필요한 전력, 대역폭 및 변조를 제공합니다. 스펙트럼 분석기의 추적 생성기 출력에 의해 구동되도록 설계되었습니다.

150kHz ~ 400MHz 주파수 범위에서 최대 2.5W의 1dB 압축 포인트로 ISO / EN 61000-4-6에 따라 테스트 레벨 클래스 1 및 클래스 2를 생성할 수 있습니다. 내장된 AM 변조기는 신호 소스로 추적 생성기를 사용할 수 있습니다.

TBMDA5는 스펙트럼 분석기 추적 생성기가 제공하는 0dBm으로 최대 출력 전력을 달성하기에 충분한 Gain을 가지고 있습니다.

1kHz, 80% AM 외에도 TBMDA5는 1kHz, 50% 듀티 사이클 PM 신호를 생성하는 내장 변조 기능을 제공합니다. PM 모드에서 TBMDA5는 휴대전화 TDMA 잡음을 시뮬레이션하기 위해 12.5% ​​듀티 사이클의 217Hz 신호를 생성할 수도 있습니다.



Features :
  • CW amplifier (modulation off)
  • 1 kHz, 80% AM modulation
  • 1 kHz, 50% duty cycle pulse modulation 217 Hz
  • 12.5% duty cycle pulse modulation


  • 사양(Specifications) :
  • Input / Output: 50 Ohm, N female
  • Supply Voltage range: 110 V…240 V
  • Supply power consumption: 19 W @ 220V
  • Operating temperature range: -20°C to 50°C
  • Frequency range: 150 kHz – 400 MHz, usable from 100 kHz to 1.2 GHz Small signal gain: 38 dB typ.
  • Gain flatness 150 kHz – 400 MHz / Pin = -5 dBm: 3.5 dB typ.
  • Saturated output power @ 150 kHz / Pin = 0 dBm: 32.6 dBm (1.8 W) typ.
  • Saturated output power @ 500 kHz / Pin = 0 dBm: 36 dBm (4 W) typ.
  • Saturated output power @ 1 MHz / Pin = 0 dBm: 36.1 dBm (4.1 W) typ.
  • Saturated output power @ 10 MHz / Pin = 0 dBm: 37.8 dBm (6 W) typ.
  • Saturated output power @ 100 MHz / Pin = 0 dBm: 36.4 dBm (4.4 W) typ.
  • Saturated output power @ 250 MHz / Pin = 0 dBm: 36 dBm (4 W) typ.
  • Saturated output power @ 400 MHz / Pin = 0 dBm: 33.7 dBm (2.3 W) typ.
  • Saturated output power @ 750 MHz / Pin = 0 dBm: 33.2 dBm (2.1 W) typ.
  • Saturated output power @ 1 GHz / Pin = 0 dBm: 34.8 dBm (3 W) typ.
  • Saturated output power @ 1.1 GHz / Pin = 0 dBm: 31.1 dBm (1.3 W) typ.
  • Saturated output power @ 1.2 GHz / Pin = 0 dBm: 27.3 dBm (0.5 W) typ.
  • 1dB output compression point @ 150 kHz: +29.6 dBm typ. (Pin: -9 dBm)
  • 1dB output compression point @ 500 kHz: +32.9 dBm typ. (Pin: -6 dBm)
  • 1dB output compression point @ 1 MHz: +33.1 dBm typ. (Pin: -5 dBm)


  • Application :
  • General-purpose wideband RF power amplifier
  • Wideband RF power amplifier for conducted immunity testing driving CDNs or BCI-probes
  • Wideband RF power amplifier for radiated immunity testing, driving near field probes
  • Wideband RF power amplifier for radiated immunity testing, driving TEM Cells


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